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元件参数资料
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参数目录41776
> AOD2N60 MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
型号:
AOD2N60
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
AOD2N60 PDF
产品目录绘图
TO-252/263
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
4.4 欧姆 @ 1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
325pF @ 25V
功率 - 最大
56.8W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
TO-252,(D-Pak)
包装
标准包装
其它名称
785-1180-6
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